平芯微HY2120-CB外圍設計全指南:R1/R2/R3選值+C1/C2配置+MOS管搭配
- 2026-07-28 14:27:00
- 技術管理員 原創
- 48
平芯微HY2120-CB 保護 IC—— 帶自恢複功能、、支持 0V 電池充電
平芯微半導體(PWChip )推齣的 HY2120-CB 是一款基於 CMOS 工藝的高精度兩節可充電鋰電池保護 IC ,集 “ 過充保護 + 過放保護 + 過流充電保護 + 過流放電保護 + 短路保護 ” 五重保護於一身。其核心亮點是帶 “ 自恢複功能 ”—— 過放保護觸髮後,不需接充電器,電池自身電壓迴陞卽可自動恢複正常工作,大幅提陞用戶體驗。本文全麵解讀 HY2120-CB 的功能特性、關鍵蔘數、保護機製和應用設計要點。
一、HY2120-CB 産品概述
HY2120-CB ,採用 SOT23-6L 封裝,專用於兩節串聯鋰離子 / 鋰聚閤物電池組的充電和放電保護。其核心特性包括:
(1 )高精度過充保護閾值 4.280V±25mV (每節);
(2 )高精度過放保護閾值 2.900V±80mV (每節);
(3 )過流放電保護閾值 0.200V±30mV ;
(4 )過流充電保護閾值 -0.200V±30mV ;
(5 )短路保護閾值 0.6V~1.4V ,響應時間 150~500μs ;
(6 )過放後自恢複功能( CB 版本特有);
(7 )支持 0V 電池充電功能(完全放空的電池也可激活充電);
(8 )低供電電流工作 4.5μA 、待機 2.1μA ;
(9 ) SOT23-6 封裝,極少外圍元件。
二、HY2120-CB
引腳定義
三、HY2120-CB
關鍵保護蔘數
HY2120-CB
的
“-CB”
版本最大特色就是
“
過放後自恢複
”
功能。這是什麽意思?爲什麽重要?
“
自恢複
”
的含義:
當電池放電至過放保護閾值(2.9V
)以下時,
HY2120-CB
會關斷放電迴路(
Q2
關斷)保護電池。進入保護狀態後,芯片自動進入低功耗待機模式(電流僅
~2.1μA
)。此時如果不接充電器,電池在去掉負載後,由於內部化學反應的平衡會産生
“
自陞壓
”
現象,電壓會緩慢迴陞。當兩節電池電壓都迴陞超過過放恢複閾值(
3.0V
),併維持超過過放恢複延遲時間(
~1.2ms
)後,
HY2120-CB
將自動恢複到正常狀態(
DOUT
輸齣高電平,
Q2
導通),電池組可以繼續正常放電使用。
爲什麽
“
自恢複
”
很重要?
對比
“
不帶自恢複
”
的版本:過放保護觸髮後,必鬚接上充電器纔能解除保護狀態恢複正常。這意味著用戶在電池放空後必鬚立卽充電纔能重新開機,體驗很差。
而帶自恢複功能的HY2120-CB
,電池過放保護後,隻要去掉負載放置一會兒(讓電池自陞壓迴到
≥ 3.0V
),電池就能自動恢複正常工作。用戶體驗更好、更智能,特彆適閤電動工具、吸塵器、小風扇、電動牙刷等
“
用完放下、過一會兒再用
”
的場景。
當任一節電池電壓超過4.280V
且持續
1.0s
後,芯片關斷
COUT
(
Q1
關斷),切斷充電迴路。恢複條件:電池自放電至低於
4.080V
,或通過負載放電使電壓降低。恢複延遲
16ms
。
當任一節電池電壓低於2.9V
且持續
128ms
後,芯片關斷
DOUT
(
Q2
關斷),切斷放電迴路。隨後自動進入低功耗待機模式(僅
2.1μA
)。自恢複條件:兩節電池電壓都迴陞超過
3.0V
。也可通過接充電器強製恢複。
當VM
端電壓超過
0.2V
且持續
12ms
(卽放電電流超限),芯片關斷
DOUT
(
Q2
關斷)。當放電負載取消後,
VM
電壓迴落,芯片自動恢複(延遲
~1.2ms
)。
當VM
端電壓超過短路閾值(
0.6~1.4V
)且持續
150~500μs
,芯片立卽關斷
Q2
,響應極快,保護電池和
MOS
不受損害。負載取消後衕樣自動恢複。
當VM
端電壓低於
-0.2V
且持續
8ms
(卽充電電流超限),芯片關斷
COUT
(
Q1
關斷)。充電器取消後,
VM
電壓迴陞大於
-0.2V
,芯片自動恢複(延遲
~1.2ms
)。
HY2120-CB
支持
0V
電池充電。當電池電壓已經完全放空(
0V
)時,接入充電器使
VDD-VM
電壓差超過
0V
充電開啟閾值(
≥1.2V
)時,
COUT
被拉到
VDD
,外接
Q1
導通,通過
Q2
的體內二極管形成充電迴路,電池可以從
0V
開始充電激活。當電池電壓陞高超過過放保護閾值時,芯片進入正常工作狀態。
7.1 R1
、
R2
穩壓電阻
推薦330Ω
,範圍
100Ω~470Ω
。太大導緻檢測精度下降,太小可能導緻充電器反接時芯片損壞。
7.2 R3
限流電阻
推薦1kΩ~4kΩ
。充電器反接時起限流保護作用,太小時芯片可能損壞,太大可能導緻無法正常切斷充電電流。
7.3 C1
、
C2
去耦電容
推薦
≥ 0.1μF
瓷片電容,穩定
VDD
電壓,緊靠芯片引腳放置。
7.4
外接
MOS
管
Q1
、
Q2
選型
推薦攜配:PW8206A6S
(
SOT23-6
封裝雙
N-MOS
)、
PW4406A
(
SOP8
封裝)、
PW20N03/PW
80N03
(
TO252
封裝,大電流場閤)。根據負載電流選擇閤適的
MOS
內阻和額定電流。
平芯微推薦兩種充電搭配方案:
(1
)陞壓充電方案:
HY2120 + PW4584A/
/PW4252/PW4253 ——
將
5V USB
陞壓到
8.4V
充兩節串聯鋰電池;
(2
)降壓充電方案:
HY2120 + PW4084 ——
將
12V
適配器降壓到
8.4V
充兩節串聯鋰電池。
(1
)電動工具(電鑽、電磨、電動螺絲刀)兩節串聯電池組保護;
(2
)便攜吸塵器、電動拖把電池組保護;
(3
)電動單車燈、頭燈、手電筒兩節串聯電池組;
(4
)無線對講機、電話機電池;
(5
)藍牙音箱、便攜小風扇、電動牙刷兩節電池;
(6
)小型充電寶(
2S
電池組);
(7
)便攜醫療儀器、便攜儀器儀錶電池保護。
四、核心亮點:過放後自恢複功能詳解
五、HY2120-CB
五重保護機製詳解
5.1
過充保護(
OC
)
5.2
過放保護(
OD
)
+
自恢複
5.3
過流放電保護(
EDI
)
5.4
短路保護(
Short
)
5.5
過流充電保護(
ECI
)
六、0V
電池充電功能
七、外圍元件設計要點
八、搭配充電方案
九、應用場景



