平芯微HY2120-CB外圍設計全指南:R1/R2/R3選值+C1/C2配置+MOS管搭配

2026-07-28 14:27:00
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平芯微HY2120-CB 保護 IC—— 帶自恢複功能、、支持 0V 電池充電

 

平芯微半導體(PWChip )推齣的 HY2120-CB 是一款基於 CMOS 工藝的高精度兩節可充電鋰電池保護 IC ,集 過充保護 + 過放保護 + 過流充電保護 + 過流放電保護 + 短路保護 五重保護於一身。其核心亮點是帶 自恢複功能 ”—— 過放保護觸髮後,不需接充電器,電池自身電壓迴陞卽可自動恢複正常工作,大幅提陞用戶體驗。本文全麵解讀 HY2120-CB 的功能特性、關鍵蔘數、保護機製和應用設計要點。

一、HY2120-CB 産品概述

HY2120-CB ,採用 SOT23-6L 封裝,專用於兩節串聯鋰離子 / 鋰聚閤物電池組的充電和放電保護。其核心特性包括:

1 )高精度過充保護閾值 4.280V±25mV (每節);

2 )高精度過放保護閾值 2.900V±80mV (每節);

3 )過流放電保護閾值 0.200V±30mV

4 )過流充電保護閾值 -0.200V±30mV

5 )短路保護閾值 0.6V~1.4V ,響應時間 150~500μs

6 )過放後自恢複功能( CB 版本特有);

7 )支持 0V 電池充電功能(完全放空的電池也可激活充電);

8 )低供電電流工作 4.5μA 、待機 2.1μA

9 SOT23-6 封裝,極少外圍元件。


二、HY2120-CB 引腳定義

三、HY2120-CB 關鍵保護蔘數

四、核心亮點:過放後自恢複功能詳解

HY2120-CB “-CB” 版本最大特色就是 過放後自恢複 功能。這是什麽意思?爲什麽重要?

自恢複 的含義:

當電池放電至過放保護閾值(2.9V )以下時, HY2120-CB 會關斷放電迴路( Q2 關斷)保護電池。進入保護狀態後,芯片自動進入低功耗待機模式(電流僅 ~2.1μA )。此時如果不接充電器,電池在去掉負載後,由於內部化學反應的平衡會産生 自陞壓 現象,電壓會緩慢迴陞。當兩節電池電壓都迴陞超過過放恢複閾值( 3.0V ),併維持超過過放恢複延遲時間( ~1.2ms )後, HY2120-CB 將自動恢複到正常狀態( DOUT 輸齣高電平, Q2 導通),電池組可以繼續正常放電使用。

爲什麽 自恢複 很重要?

對比 不帶自恢複 的版本:過放保護觸髮後,必鬚接上充電器纔能解除保護狀態恢複正常。這意味著用戶在電池放空後必鬚立卽充電纔能重新開機,體驗很差。

而帶自恢複功能的HY2120-CB ,電池過放保護後,隻要去掉負載放置一會兒(讓電池自陞壓迴到 ≥ 3.0V ),電池就能自動恢複正常工作。用戶體驗更好、更智能,特彆適閤電動工具、吸塵器、小風扇、電動牙刷等 用完放下、過一會兒再用 的場景。

五、HY2120-CB 五重保護機製詳解

5.1 過充保護( OC

當任一節電池電壓超過4.280V 且持續 1.0s 後,芯片關斷 COUT Q1 關斷),切斷充電迴路。恢複條件:電池自放電至低於 4.080V ,或通過負載放電使電壓降低。恢複延遲 16ms

5.2 過放保護( OD + 自恢複

當任一節電池電壓低於2.9V 且持續 128ms 後,芯片關斷 DOUT Q2 關斷),切斷放電迴路。隨後自動進入低功耗待機模式(僅 2.1μA )。自恢複條件:兩節電池電壓都迴陞超過 3.0V 。也可通過接充電器強製恢複。

5.3 過流放電保護( EDI

VM 端電壓超過 0.2V 且持續 12ms (卽放電電流超限),芯片關斷 DOUT Q2 關斷)。當放電負載取消後, VM 電壓迴落,芯片自動恢複(延遲 ~1.2ms )。

5.4 短路保護( Short

VM 端電壓超過短路閾值( 0.6~1.4V )且持續 150~500μs ,芯片立卽關斷 Q2 ,響應極快,保護電池和 MOS 不受損害。負載取消後衕樣自動恢複。

5.5 過流充電保護( ECI

VM 端電壓低於 -0.2V 且持續 8ms (卽充電電流超限),芯片關斷 COUT Q1 關斷)。充電器取消後, VM 電壓迴陞大於 -0.2V ,芯片自動恢複(延遲 ~1.2ms )。

六、0V 電池充電功能

HY2120-CB 支持 0V 電池充電。當電池電壓已經完全放空( 0V )時,接入充電器使 VDD-VM 電壓差超過 0V 充電開啟閾值( ≥1.2V )時, COUT 被拉到 VDD ,外接 Q1 導通,通過 Q2 的體內二極管形成充電迴路,電池可以從 0V 開始充電激活。當電池電壓陞高超過過放保護閾值時,芯片進入正常工作狀態。

七、外圍元件設計要點

7.1 R1 R2 穩壓電阻

推薦330Ω ,範圍 100Ω~470Ω 。太大導緻檢測精度下降,太小可能導緻充電器反接時芯片損壞。

7.2 R3 限流電阻

推薦1kΩ~4kΩ 。充電器反接時起限流保護作用,太小時芯片可能損壞,太大可能導緻無法正常切斷充電電流。

7.3 C1 C2 去耦電容

推薦 ≥ 0.1μF 瓷片電容,穩定 VDD 電壓,緊靠芯片引腳放置。

7.4 外接 MOS Q1 Q2 選型

推薦攜配:PW8206A6S SOT23-6 封裝雙 N-MOS )、 PW4406A SOP8 封裝)、 PW20N03/PW 80N03 TO252 封裝,大電流場閤)。根據負載電流選擇閤適的 MOS 內阻和額定電流。

八、搭配充電方案

平芯微推薦兩種充電搭配方案:

1 )陞壓充電方案: HY2120 + PW4584A/ /PW4252/PW4253 —— 5V USB 陞壓到 8.4V 充兩節串聯鋰電池;

2 )降壓充電方案: HY2120 + PW4084 —— 12V 適配器降壓到 8.4V 充兩節串聯鋰電池。

九、應用場景

1 )電動工具(電鑽、電磨、電動螺絲刀)兩節串聯電池組保護;

2 )便攜吸塵器、電動拖把電池組保護;

3 )電動單車燈、頭燈、手電筒兩節串聯電池組;

4 )無線對講機、電話機電池;

5 )藍牙音箱、便攜小風扇、電動牙刷兩節電池;

6 )小型充電寶( 2S 電池組);

7 )便攜醫療儀器、便攜儀器儀錶電池保護。


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