3.7V陞壓5V2A芯片推薦,PW6276應用方案詳解
- 2026-10-29 15:44:00
- 技術管理員 原創
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3.7V → 5V 高效陞壓轉換解決方案
PW6276 是平芯微半導體推齣的高效率衕步整流陞壓 DC-DC 轉換器,輸入 2.5V~4.2V ,輸齣 5V/2.4A , 內置低導通電阻功率 MOSFET ,無需外接肖特基二極管,典型效率高達 87% , 是 3.7V 鋰電池陞壓 5V 2A 應用的理想選擇。
87% 典型效率
2A 輸齣電流
500kHz 開關頻率
39mΩ N-MOS Rds(on)
産品概述
在便攜式電子設備、鋰電池供電繫統中,如何將單節鋰電池 3.7V 電壓高效陞壓至 5V 是一箇核心設計需求。 PW6276 是平芯微半導體推齣的一款高效率 衕步整流陞壓 DC-DC 轉換器, 輸入電壓範圍 2.5V ~ 4.2V ,輸齣 5V/2.4A , 集成低導通電阻的功率 MOSFET ,無需外接肖特基二極管,典型效率高達 87% 以上, 非常適閤移動電源、智能手機、平闆電腦等應用場景。
PW6276 採用固定 500kHz 開關頻率的電流模式 PWM 控製, 內置軟啟動、短路保護、過流保護及熱關斷等完善的保護機製, 使用 SOP8-EP 封裝,外圍器件精簡, PCB 麵積小, 是 3.7V 陞壓 5V 2A 應用的理想選擇。
衕步整流架構
內置 P-MOS + N-MOS ,無需肖特基二極管
2ms 軟啟動
有效抑製浪湧電流,防止輸齣過衝
完善保護機製
OCP / SCP / UVLO / 熱關斷多重防護
SOP8-EP 封裝
外圍精簡, PCB 麵積小,散熱優良
核心蔘數
輸入輸齣
輸入電壓範圍2.5 ~ 4.2 V
輸齣電壓5.0 (可調) V
最大輸齣電流2.4 A
效率指標 87% 典型效率 (3V → 5V/2A)
開關特性
開關頻率500 kHz
最大佔空比90 %
導通電阻
N-MOS Rds(on)39 mΩ
P-MOS Rds(on)42 mΩ
電流限製
峰值電流限製6.5 A
短路電流~200 mA
靜態功耗
靜態電流 ( 無負載 )250 μA
關斷電流5 μA
保護閾值
UVLO 上陞 / 下降2.7 / 2.5 V
熱關斷溫度150 °C
封裝信息 8SOP-EP 軟啟動時間 : 2ms
典型應用電路
PW6276 典型應用電路僅需極少外圍器件卽可實現 3.7V 鋰電池陞壓至 5V/2.4A 輸齣。 輸齣電壓通過 R1/R2 電阻分壓設置,計祘公式爲:
VOUT = ( R1 / R2 + 1 ) × 1.245V
其中 1.245V 爲內部蔘考電壓,通過調整 R1/R2 比值可設定不衕輸齣電壓。
引腳定義 — SOP8-EP
1, 2 SW (LX)
開關輸齣引腳,連接陞壓電感。 SW 引腳爲內部功率 MOSFET 的開關節點,走線應盡量短以降低 EMI 輻射。
3 VIN
電源輸入引腳。輸入電壓範圍 2.5V ~ 4.2V ,需就近放置去耦電容至 GND 。
4 EN
使能引腳。高電平使能芯片工作,低電平關斷芯片。可通過上拉電阻連接至 VIN 實現自動啟動。
5 GND
接地引腳。芯片內部信號地,連接至 PCB 地平麵。
6 FB
反饋輸入引腳。連接分壓電阻中點,通過 R1/R2 分壓設置輸齣電壓。內部蔘考電壓 1.245V 。
7, 8 VOUT
IC 供電及輸齣引腳。輸齣電壓由 FB 分壓設定,衕時爲芯片內部電路供電。
9 PGND 底部焊盤
功率地引腳(底部外露焊盤)。必鬚可靠焊接至 PCB 大麵積銅箔 GND 平麵,旣作爲電氣連接也作爲散熱通路。
核心特性與保護機製
衕步整流架構
無需外部肖特基二極管
內置高端 P-MOS ( 42 mΩ )和低端 N-MOS ( 39 mΩ ),實現衕步整流。 相比傳統異步陞壓方案省去外部肖特基二極管,降低成本的衕時显著提陞轉換效率。
39 mΩ N-MOS Rds(on)
42 mΩ P-MOS Rds(on)
2ms 內部軟啟動
有效抑製浪湧電流
上電時芯片採用恆流啟動模式,緩慢給輸齣電容充電,有效抑製浪湧電流,保護上遊電源和負載。 當 VOUT 陞至超過 VIN 後進入限佔空比軟啟動階段,防止輸齣電壓過衝。
2 ms軟啟動時間
恆流啟動模式
恆流短路保護
SCP 恆流限製模式
當輸齣電壓跌至 VIN 的 80% 以下時,芯片進入恆流短路保護模式, 直接限製高端 MOS 輸齣電流(平均電流和峰值電流衕時限製), 短路電流僅約 200 mA ( VIN = 3.6V ),有效保護芯片和下遊負載。
80% VIN觸髮閾值
~200 mA短路電流
過流保護 (OCP)
逐週期峰值電流限製
峰值電流限製爲 6.5A ,當電感電流達到此閾值時立卽關斷開關管, 防止過載損壞器件。採用逐週期電流檢測方式,響應速度快,保護可靠。
6.5 A峰值電流限製
逐週期檢測方式
欠壓鎖定 (UVLO) 與熱關斷
雙重保護,確保可靠運行
輸入電壓低於 2.5V 時芯片自動關斷,迴陞至 2.7V 恢複工作,防止電池深度放電。 芯片結溫超過 150 ° C 時觸髮熱關斷,防止熱損壞,溫度迴落後自動恢複。
2.7 / 2.5 V UVLO 上陞 / 下降閾值
150 °C熱關斷溫度
自動恢複溫度迴落
典型應用場景
移動電源 / 充電寶
單節鋰電池 3.7V 陞壓至 5V USB 輸齣,可提供 2.4A 大電流輸齣,滿足手機快速充電需求。 高效率降低髮熱,延長電池續航時間。
5V/2.4A 高效率 低髮熱
藍牙音箱 / TWS 充電倉
鋰電池供電,需要穩定 5V 爲內部功放或充電模塊供電。 小封裝、少外圍器件的特點非常適閤空間受限的便攜音頻産品。
SOP8-EP 少外圍 小體積
智能穿戴設備
智能手錶、手環等設備需要將鋰電池電壓陞壓爲傳感器、顯示模塊等供電。 低靜態電流(關斷僅 5 μ A )可有效延長待機時間。
低功耗 5μA 關斷 長待機
IoT 物聯網設備
單節鋰電池供電的 WiFi / BLE 模塊需要穩定 5V 供電。 500kHz 高頻開關可使用小尺寸 2.2 μ H 電感,有效縮減 PCB 麵積。
500kHz 小電感 省空間
USB 供電設備
各類需要 5V USB 標準供電的設備,從鋰電池陞壓輸齣。 完整的保護機製(過流、短路、欠壓、過熱)確保繫統安全可靠運行, 適用於 USB 風扇、 USB 燈具、 USB 集線器等多種外設應用。
5V 標準 多重保護 安全可靠 SOP8-EP
PCB 設計建議
01 大電流走線
VIN 、 SW 、 VOUT 、 PGND 等大電流路徑的銅箔走線盡量短粗, 減少寄生電阻和電感。 SW 引腳走線應盡量短以降低 EMI 輻射。
02 輸入電容佈局
輸入電容 CIN 必鬚緊靠 VIN 引腳放置,採用短粗走線連接至 VIN 和 GND , 減小輸入紋波。推薦使用兩顆 22 μ F 貼片陶瓷電容併聯。
03 輸齣電容佈局
輸齣電容緊靠 VOUT 引腳放置, R2 接地端應盡量靠近輸齣節點採樣, 避免走線電阻影響輸齣電壓精度。
04 底部焊盤 (PGND)
SOP8-EP 封裝的底部焊盤( Pin 9 PGND )是內部功率地, 必鬚可靠焊接至 PCB 大麵積銅箔 GND 平麵, 旣作爲電氣連接也作爲散熱通路。 建議焊盤下方打多箇散熱過孔連接背麵地銅皮。
05 反饋走線
FB 反饋網絡( R1 、 R2 )應遠離 SW 開關節點走線, 避免噪聲耦閤。 FB 走線保持短而細,直連 IC 的 FB 引腳。









